ワイドバンドギャップ半導体市場規模は2025年の23億8000万米ドルから2032年のピークに向けて拡大

最終更新日:2025年11月24日 14:34

ワイドバンドギャップ半導体市場の紹介

Fortune Business Insightsによると、ワイドバンドギャップ半導体市場規模は2024年に20億8,000万米ドルと評価され、2032年までに62億2,000万米ドルに成長すると予測されています。ワイドバンドギャップ（WBG）半導体（主に炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN））は、高い熱安定性、低い電力損失、高周波数および高電圧での優れた性能を備えているため、EVパワートレイン、5Gインフラ、再生可能エネルギーコンバータ、高度なRFアプリケーションに不可欠なものとなっています。

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日本のワイドバンドギャップ半導体市場の洞察

グローバル展開を目指す日本の半導体企業やOEMにとって、ワイドバンドギャップ半導体市場は戦略的な機会を提供します。日本の強固な材料科学基盤、高度な製造能力、そして活発な自動車・産業用エレクトロニクス分野は、SiCとGaNの採用にとって肥沃な土壌となっています。日本のデバイスメーカーとファウンドリーの連携、そしてEVサプライチェーンと再生可能エネルギーへの官民投資は、現地の生産能力構築と特定用途向け研究開発を加速させ、日本は国内需要への対応と高付加価値のワイドバンドギャップ部品およびサブシステムの輸出の両方を実現しています。

ワイドバンドギャップ半導体市場のスナップショット

2024年の市場規模：20億8000万米ドル。
2025年の推定規模：23億8,000万米ドル。
2032年の予測：62億2,000万米ドル。
CAGR（2025～2032年）：14.71%。
地域リーダー（2024年）：アジア太平洋（シェア41.83%）。
主要材料（2024年）：シリコンカーバイド（SiC） — シェア57.50%。
主要デバイスタイプ（2025年推定）：パワーデバイス — シェア約48.47%。
主なエンドユーザー: 自動車 (EV が最大のシェアと最高の CAGR を牽引)。
最も急速に成長している材料：GaN（5G と RF の需要により急速な CAGR）。

ワイドバンドギャップ半導体市場規模

ワイドバンドギャップ半導体市場規模は、2024年に20億8000万米ドルに達しました。この成長は、電気自動車（パワーインバーター、オンボード充電器）、再生可能エネルギーシステム（ソーラーインバーター）、高周波RFアプリケーション（5G）、および熱的堅牢性と効率性がシステムレベルの利益に直接つながる産業用パワーエレクトロニクスへの採用によってもたらされています。

ワイドバンドギャップ半導体市場シェア

ワイドバンドギャップ半導体市場は、中国、日本、韓国の生産規模と自動車・エネルギー分野の需要に牽引され、2024年にはアジア太平洋地域が41.83%のシェアを占め、市場をリードする見通しです。SiCは、高出力アプリケーションにおける信頼性の実績により、材料の中で最大のシェアを獲得しました。一方、GaNはRFおよび民生用急速充電アプリケーションで急速にシェアを拡大しています。

ワイドバンドギャップ半導体市場の成長

ワイドバンドギャップ半導体市場の成長は、交通機関の電動化、5Gインフラの拡大、そしてエネルギー効率の高い電力変換に対する需要の高まりによって推進されています。特に自動車の電動化と急速充電インフラは重要な推進力となっています。SiCとGaNは損失と発熱を低減し、より小型、軽量、そしてより効率的な電力システムを実現します。

市場動向

推進要因: EV の導入と充電インフラ、5G の展開、再生可能エネルギーの統合、産業の電化。
制約: SiC/GaN 基板の製造および処理コストが高く、サプライヤーベースが限られていること、レガシーシステムの統合が複雑であること。
トレンド: 強力な研究開発コラボレーション (GaN-on-Silicon アプローチ、SiC プロセススケーリングなど)、デバイスメーカーとファウンドリ間のパートナーシップ、およびローカライズされた生産能力への移行。
機会: 自動車用パワーエレクトロニクス、急速充電器、通信および防衛における高周波 RF、グリッドレベルインバータ、国内のウェーハ製造およびパッケージングへの投資の増加。

競争環境

WBG市場は、既存の半導体メーカー、特殊デバイスメーカー、そして投資や提携を通じて生産能力を増強するファウンドリが混在する市場です。各社は、ウェーハ／プロセス能力、デバイス性能（例：MOSFET／RF HEMT特性）、電力密度の向上、熱管理、そしてサプライチェーンの信頼性を競い合っています。コスト削減と生産量拡大を追求する企業にとって、GaNプロセスアライアンスやSiC生産能力への投資といった戦略的提携は頻繁に行われています。

トップ企業

インフィニオンテクノロジーズAG
STマイクロエレクトロニクス
アナログ・デバイセズ株式会社
NXPセミコンダクターズ
ローム株式会社
MACOMテクノロジーソリューションズ
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
三菱電機
富士電機株式会社
ビシェイインターテクノロジー社
ネクスペリア
オン・セミコンダクター
テキサス・インスツルメンツ
Qorvo 株式会社

地域別インサイト

アジア太平洋地域は、2024年には8億7,000万米ドル（シェア41.83%）と、中国と日本が牽引し、市場規模は最大となります。中国のEVおよび再生可能エネルギーの大規模な導入と、日本の先進的なデバイス・材料エコシステムが成長を支えています。北米は、研究開発と自動車メーカーからの需要が旺盛で、規模が大きく成長を続けています（米国市場は2025年に約3億4,000万米ドルに達すると予測されています）。これに続く欧州は、持続可能性とEVへの投資、そして注目すべきファブおよびツールの拡張（例：Nexperiaへの2億ユーロの投資）に支えられています。中東、アフリカ、南米は規模は小さいものの、電化と送電網の近代化が進むにつれて、徐々に機会が生まれています。

市場セグメンテーション

材料タイプ: 炭化ケイ素 (SiC)、窒化ガリウム (GaN)、その他 (窒化アルミニウム、ダイヤモンドなど)
デバイスタイプ: パワーデバイス、RFデバイス、オプトエレクトロニクスデバイス
エンドユーザー: 自動車、コンシューマーエレクトロニクス、通信、航空宇宙および防衛、エネルギーおよび電力、その他 (ヘルスケア)
地域: アジア太平洋、北米、ヨーロッパ、南米、中東、アフリカ

主要な業界動向

2024年12月：ROHMは、EVアプリケーション向けGaNパワーデバイスの開発および量産に関してTSMCとの提携を発表しました。
2024 年 11 月: MACOM が RF/mmWave アプリケーション向け GaN-on-SiC 開発プロジェクトに選定されました。
2024 年 11 月: NXP は、EV バッテリーシステムをサポートする UWB 機能を備えたワイヤレス BMS を発売しました。
2024 年 10 月: レイセオンは、高度なセンサーと電力供給のための超 WBG 材料 (ダイヤモンド、AlN) を研究するための DARPA 資金を確保しました。
2023年11月：三菱電機はパワーエレクトロニクス向けSiC MOSFETの開発でNexperiaと提携。

機会と展望

WBG半導体は、電動化交通、通信（5G/6Gへの進化）、そして再生可能エネルギーグリッド全体にわたる重要な効率性と熱問題の解決に貢献します。製造規模の拡大とプロセスの成熟度向上（GaN-on-Si、SiCウェーハの大型化など）に伴い、生産コストは低下し、対象市場が拡大すると予想されます。国内ファブへの投資、業界横断的なパートナーシップ、そして垂直統合型サプライチェーンが、長期的な価値を獲得するプレーヤーを決定づけるでしょう。